随着电力电子技术的发展,IGBT已被广泛应用在各大领域。为了确保其质量和稳定性,IGBT测试是必不可少的环节。通过测试可以发现问题,并采取措施解决问题,从而顺利进入设计和生产过程中。
什么是IGBT?
IGBT(Insulate-Gate Bipolar
Transistor)是绝缘栅双极晶体管,结合了场效应晶体管和电力晶体管。它具有良好的特性,如输入阻抗高、开关损耗低、开关频率高、驱动功率小、温度特性好。如今被广泛应用在工业用电机、变换器、新能源变流器、民用小容量电机等,应用领域广泛。
IGBT测试项目
为了检测IGBT的性能、稳定性和可靠性,IGBT测试是设计和生产过程中的重要环节。通过测试可以发现早期潜在的问题,从而提升其性能,让用户在使用过程中有良好的体验。IGBT测试的项目主要有:
栅极-发射极阈值电压VGE(TO)测试
栅极-发射极漏电流IGES测试
集电极-发射极截止电流ICES测试
集电极-发射极饱和电压VCE(sat)测试
开通时间ton测试:开通时间是开通延迟时间与集电极电流上升时间之和。
关断时间toff测试:关断时间是关断延迟时间与电流下降时间之和。测试包含阻性负载和感性负载测试。
恢复时间测试:是针对IGBT上反向续流二极管的恢复时间进行测试。
IGBT可靠性测试项目有哪些?
可靠性测试在IGBT设计阶段非常重要,封装材料、封装连接工艺、芯片布局等都会对IGBT的可靠性造成影响。IGBT可靠性测试的项目主要有以下几个:
HTRB高温反偏测试:用于测试在长期稳定的情况下芯片的漏电流情况
HTGB高温门极反偏测试:用于测试栅极漏电流的稳定性
H3TRB高温高湿反偏测试:测试温度对IGBT特性的影响
HTS高温存储测试:测试高温对IGBT的影响,验证其整体结构和材料完整性
LTS低温存储测试:测试低温对IGBT的影响,验证其整体结构和材料完整性
TC热循环测试:模拟外界温度变化对其性能的影响
PC功率循环测试:用于验证键合线与芯片、芯片到DCB之间连接的老化情况
振动测试、机械冲击测试:用于验证IGBT结构的稳定性和电气连接的稳定性

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