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芯片测试方法系列之晶圆测试-纳米软件

时间:2023-10-23

      芯片测试是衡量表征芯片性能最直观的方法,测试的结果能够帮助我们分析问题和评估芯片是否能够正常应用,从最初的晶圆到客户手中的芯片成品中间会经历很多不同测试,每个阶段的测试都有其独特的作用。今天为大家介绍一下芯片测试中的第一次测试——晶圆测试。

芯片测试方法

      晶圆可接受测试,又称为WAT(Wafer Acceptance Test)或者有些称为PCM(Process Control Monitor),是将测试结构(testkey)放置在划片槽内,由测试探针扎到测试PAD上进行测试。

      这一阶段的测试是在Fab 的工艺过程中,也就是上述Fab生产这一阶段,分为前端(金属互连以前)和后端(封装以前),前端对一些基本器件参数如阈值电压导通电阻、源漏击穿电压、栅源漏电流、漏源漏电流等,后端是做了各种金属层以后,会测量诸如Metal电阻,Via电阻,MOM电容之类的参数。这些测试能够监控Fab厂工艺的波动情况,及时作出调整,同时也是芯片出现问题后溯源的关键。举个简单的例子,对于芯片内部某些MOS管的阈值电压,fab厂会根据工艺要求,制定一个上下限,同时也会根据自身的工艺能力,制定一个可接受的上下限代表正常的工艺波动。

芯片测试

      如果wafer的这项参数发生了整体偏移,超出了工艺要求制定的范围,fab就会剔除这些wafer或者对其进行一些诸如紫外照射的特殊处理,帮助其恢复相关性能;如果是超出了正常的工艺波动范围,fab会对这批lot加特殊的字符去tracking,看看后续制造完成的最终测试是否满足应用需求,如果最终某一项测试项发生了偏移,可以确认是否和该阈值电压偏移有关,方便评估芯片的可靠性能。

      概括来说,WAT主要为监控工艺的变化,方便fab对于工艺异常的情况及时做出调整,同时也是芯片最终测试(Final Test,FT)出现问题时寻找root cause的一个重要渠道。

原文链接:https://www.namisoft.com/news/spzjcszt/226.html

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