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电源管理芯片测试专题

芯片启动延时测试方法和步骤-纳米软件

时间:2023-10-18

      上期我们了解到影响芯片启动延时的主要因素有设计工艺、工作电压和环境温度,那么测试芯片启动延迟也需要从这几个方面入手。对于普通企业来说,设计工艺和极端温度条件下的测试基本没有必要,设计工艺对延时启动的影响比较小,除非是需要精准度极高的芯片,因此在日常测试中我们只需要关注不同电压下的芯片启动延时即可。

  启动延时电路

       芯片启动延时测试步骤如下:

1. 首先我们需要先确定芯片的输入电压范围,输入电压范围的测试可以查看我们往期的文章进行学习了解。

2. 确定好电压范围之后,可以根据自身企业的需求确定单个或多个测量点(比如:某芯片的输入电压范围为9V~12V,可以选择9V、12V这两个测量点)

3. 使用电源给芯片输入9V的电压,同时使用示波器的2个通道分别测量芯片的输入与输出电压波形,抓取芯片输出与输入的上升波形。

4. 在示波器上选择2个通道的波形,计算出2个波形上升稳定后的延迟时间,这个时间即是9V时芯片的启动延时。

5. 后续使用电源输入12V的电压,重复3-4的步骤即可测试出12V是芯片的启动延迟。同样的如果你需要采集多个点的启动延迟,也可以按照上述方法操作即可。

 

芯片启动延时测试

      以上方案适用于少量芯片和少量测试点,如果需要测试大批量或连续多点位的测试则可以选择使用ATECLOUD芯片测试系统进行自动化测试,芯片测试系统会更加用户提前设置好的参数自动化配置测试,无需人工手动调整,测试完成后可以直接导出测试报告,针对芯片设计和生产的大批量测试场景十分适用。

      使用ATECLOUD测试芯片的启动延时只需要在平台上搭建好启动延时的方案,连接好仪器之后,直接启动测试即可。测试结果可以在数据报告界面直接查看,测试多点位延时可自动调节参数,测试报告支持一键导出,数据分析可以集中展示,可以极大的提升企业的测试效率和精度。

      更多芯片测试内容可直接访问:www.namisoft.com

原文链接:https://www.namisoft.com/news/dyglxpcszt/235.html

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