电源芯片测试专题

      电源芯片的启动延时是指电源芯片的上电信号从输入到输出所需的时间，通俗的来讲就是电源芯片启动时的输入波形与输出波形之间的时间差，由于芯片的启动延迟都是毫秒级的，所以在测试芯片启动延时时需要采集输出与输入的波形来进行计算延时时间。如果用公式来表示的话就是：

启动延时=输出上升时间-输入上升时间

      电源芯片的启动延时主要受三大因素影响：设计工艺、工作电压以及环境温度。

      设计工艺：芯片设计时存在工艺偏差，比如扩散深度、掺杂浓度、刻蚀程度等，所以即使是同一批芯片，它的设计工艺也会存在一定的差异，从而使它的启动延时有所不同。

      工作电压：这个很好理解，芯片中的电压越大，芯片内部的电容充放电越快，管子开关速度越快，延时则越小。当然这个电压的最大值不能超过芯片的保护电压。

      环境温度：根据逆温度依赖效应，在高电压下，温度越高，延迟越大；但在低电压下，温度越高，延迟越小。这个影响因素只是在有写特定的条件下需要进行测试，一般普通的芯片只需要测试常温下的延迟即可。

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